首頁資訊萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

來源：泰然健康網(wǎng) 時(shí)間：2024年12月27日 19:29

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金融界 2024 年 12 月 21 日消息，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬國半導(dǎo)體國際有限合伙公司申請一項(xiàng)名為“用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管”的專利，公開號(hào) CN 119153460 A，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，一種用于功率晶體管的保護(hù)結(jié)構(gòu)包括形成在溝槽多晶硅層中的一對(duì)或多對(duì)背對(duì)背 pn 結(jié)二極管，所述溝槽多晶硅層設(shè)置在形成于半導(dǎo)體襯底中的溝槽中。溝槽多晶硅層的至少一部分在半導(dǎo)體襯底的頂表面上方突出。交替的 N 型摻雜區(qū)和 P 型摻雜區(qū)沿著溝槽的長度形成在溝槽多晶硅層中。當(dāng)跨功率晶體管的柵極端子和源極端子耦合時(shí)，可以有利地應(yīng)用保護(hù)結(jié)構(gòu)來保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件的影響。

本文源自：金融界

作者：情報(bào)員

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