本實用新型涉及磁場屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置。

背景技術(shù)：

隨著電腦、通訊、消費性信息產(chǎn)品功能不斷的增加及數(shù)位化、高頻化、普及化，人體暴露在高強度電磁波的機會越來越多，造成人體健康上的危害，增加了白血病、腦瘤、DNA破壞...等罹患機率。根據(jù)研究指出，當電磁波超過60赫茲，對人體的細胞DNA結(jié)構(gòu)會造成傷害，正因為電磁波的負面影響不斷地被發(fā)掘，因此，抗電磁波的材料已成為全球各方的研究焦點。

一般而言，抗電磁波材的結(jié)構(gòu)，可分為電場遮蔽材與磁場遮蔽材兩大類，來達到抗電磁波的功能。然而，目前的各種抗電磁波裝置都是厚度大的結(jié)構(gòu)，并且只使用金屬材料屏蔽會有產(chǎn)生磁場渦流，不但耗能而且會產(chǎn)生高熱的危害，因而限定其應(yīng)用范圍。

目前來說，微型化、高度集成化是電子產(chǎn)品發(fā)展的主流趨勢，這些產(chǎn)品的內(nèi)部空間相對狹小。因此，設(shè)計開發(fā)厚度薄、質(zhì)量輕、適用于狹小空間的電磁波吸收材料，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型提供了一種厚度薄、質(zhì)量輕且屏蔽效果好的用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，以達到解決現(xiàn)有電磁屏蔽效果差且質(zhì)量笨重的技術(shù)問題。

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，包括屏蔽殼體，所述屏蔽殼體的內(nèi)部圍設(shè)成一密閉的屏蔽空間，所述屏蔽空間的壁體由內(nèi)而外包括屏蔽層、高導(dǎo)磁復(fù)合層和反射層。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述反射層的折射率大于該高導(dǎo)磁復(fù)合層的折射率。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述屏蔽層為輕質(zhì)金屬板。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述輕質(zhì)金屬板為鋁合金板。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述高導(dǎo)磁復(fù)合層包括絕緣層和高導(dǎo)磁板，所述絕緣層設(shè)置在所述高導(dǎo)磁板兩側(cè)。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述高導(dǎo)磁板為矽鋼板、坡莫合金板、鍍鋅的高碳鋼板或鍍鎳的高碳鋼板中的一種。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述絕緣層與所述屏蔽層之間和所述絕緣層與所述反射層之間設(shè)有非晶質(zhì)鐵高導(dǎo)磁層。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述非晶質(zhì)鐵高導(dǎo)磁層由多個非晶質(zhì)鐵片間隔設(shè)置形成柵狀結(jié)構(gòu)。

本實用新型的一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，利用屏蔽層對電磁波進行阻擋隔離，而部分未隔離的電磁波一方面穿過高導(dǎo)磁復(fù)合層打到反射層上，當入射的電磁波穿過高導(dǎo)磁復(fù)合層后碰到反射層后，在反射層的作用下再次被反射回來，通過控制高導(dǎo)磁復(fù)合層內(nèi)的材料電磁特性，使得電磁波有適當?shù)恼穹拖鄳B(tài)在高導(dǎo)磁復(fù)合層內(nèi)進行多重反射，從而使得電磁波在高導(dǎo)磁復(fù)合層內(nèi)進行多重吸收，以達到降低電磁波中反射量。

本實用新型的一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，利用反射層、高導(dǎo)磁復(fù)合層和屏蔽層的特性，構(gòu)成低磁阻通路所形成的屏蔽電場、磁場的結(jié)構(gòu)，以達到將低頻磁場和高頻電磁場進行吸收和導(dǎo)引至該屏蔽結(jié)構(gòu)體內(nèi)進行消減，實現(xiàn)其屏蔽的目的。

附圖說明

圖1為本實用新型的用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：10、屏蔽層；20、高導(dǎo)磁復(fù)合層；21、絕緣層；22、高導(dǎo)磁板；23、非晶質(zhì)鐵高導(dǎo)磁層；30、反射層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

請參閱圖1所示，本實用新型提供了一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，包括屏蔽殼體，該屏蔽殼體的內(nèi)部圍設(shè)成一密閉的屏蔽空間，該屏蔽空間的壁體由內(nèi)而外包括屏蔽層10、高導(dǎo)磁復(fù)合層20和反射層30，其中，反射層30的折射率大于該高導(dǎo)磁復(fù)合層20的折射率。

本實用新型的一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，利用屏蔽層10對電磁波進行阻擋隔離，而部分未隔離的電磁波一方面穿過高導(dǎo)磁復(fù)合層20打到反射層30上，當入射的電磁波穿過高導(dǎo)磁復(fù)合層20后碰到反射層30后，在反射層30的作用下再次被反射回來，通過控制高導(dǎo)磁復(fù)合層20內(nèi)的材料電磁特性，使得電磁波有適當?shù)恼穹拖鄳B(tài)在高導(dǎo)磁復(fù)合層20內(nèi)進行多重反射，從而使得電磁波在高導(dǎo)磁復(fù)合層20內(nèi)進行多重吸收，以達到降低電磁波中反射量。

請繼續(xù)參閱圖1所示，本實用新型的高導(dǎo)磁復(fù)合層20包括絕緣層21和高導(dǎo)磁板22，絕緣層21設(shè)置在高導(dǎo)磁板22兩側(cè)，利用絕緣層21將高導(dǎo)磁板22與兩側(cè)的反射層30、屏蔽層10完全隔離開。

本實用新型還在絕緣層21與屏蔽層10之間和絕緣層21與反射層30之間設(shè)有非晶質(zhì)鐵高導(dǎo)磁層23，且該非晶質(zhì)鐵高導(dǎo)磁層23由多個非晶質(zhì)鐵片間隔設(shè)置形成柵狀結(jié)構(gòu)。

將本實用新型用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置套裝在交變磁場發(fā)生源的外部，產(chǎn)生的磁力線一部分被屏蔽層10阻隔在本實用新型內(nèi)部，部分穿過屏蔽層10的磁力線通過非晶質(zhì)鐵片之間的縫隙發(fā)生干涉，抵消一部分電磁場能量，而經(jīng)過干涉后的電磁場部分透過高導(dǎo)磁板22到達發(fā)射層，在反射層30的作用下再次反射進入絕緣層21與反射層30之間設(shè)有非晶質(zhì)鐵高導(dǎo)磁層23，產(chǎn)生干涉消耗其部分能量，而未消耗部分的電磁波再次進入高導(dǎo)磁板22進行內(nèi)部，電磁波有適當?shù)恼穹拖鄳B(tài)在高導(dǎo)磁復(fù)合層20內(nèi)進行多重反射，從而使得電磁波在高導(dǎo)磁板22內(nèi)進行多重吸收，以達到降低消滅電磁波中反射量，實現(xiàn)其屏蔽的目的。

本實用新型的的高導(dǎo)磁板22是矽鋼板、坡莫合金板、鍍鋅的高碳鋼板或鍍鎳的高碳鋼板中的一種，且該屏蔽層10為輕質(zhì)金屬板，輕質(zhì)金屬板為鋁合金板。

本實用新型的一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置，利用反射層30、高導(dǎo)磁復(fù)合層20和屏蔽層10的特性，構(gòu)成低磁阻通路所形成的屏蔽電場、磁場的結(jié)構(gòu)，以達到將低頻磁場和高頻電磁場進行吸收和導(dǎo)引至該屏蔽結(jié)構(gòu)體內(nèi)進行消減，實現(xiàn)其屏蔽的目的。

最后，本申請的方法僅為較佳的實施方案，并非用于限定本實用新型的保護范圍。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。

相關(guān)知識

隱蔽的電磁輻射污染
電磁輻射污染控制工程
環(huán)境電磁輻射污染控制環(huán).ppt
電磁輻射污染防治
電磁輻射對環(huán)境的污染及防護措施
電磁輻射污染的危害與對策
電磁輻射
電磁輻射污染
電磁輻射對人體的傷害及防護措施.doc
電磁輻射對人體健康的影響.ppt

網(wǎng)址: 一種用于屏蔽低頻磁場及高頻電磁場的裝置的制作方法 http://m.u1s5d6.cn/newsview336503.html